N2是台积电（TSMC）的2纳米半导体制造工艺节点，其采用了纳米片（Nanosheet）晶体管技术（即GAA晶体管技术） 。该技术已于2025年第四季度开始量产 ，N2的缺陷密度下降速度超过了前代N3同期的表现，良率爬升更快，首年晶圆产出量较N3同期高出45% 。较前代N3E在相同功耗下性能可提升10%至15%，在相同频率下功耗可降低25%至30%，同时逻辑密度提升约15% 。与更早的N3工艺相比，N2可将功耗降低24%至35%，或在相同运行电压下将性能提高15%，同时晶体管密度是N3的1.15倍 。
N2是台积电N2工艺家族的基础版本，其后继包括N2P、N2U、N2X等衍生版本 。N2P按计划于2026年下半年投入量产，N2U、N2X则分别计划于2028年和2027年量产 。2026年至2028年间其产能计划以年复合增长率70%的速度扩张 ，台积电计划在2028年前将N2制程引入美国 。该工艺已获得包括苹果等在内的超过20个客户流片，排队中的项目超过70个 。N2工艺中集成了低阻再分布层布线和超高性能金属-绝缘体-金属电容器，实现从晶体管到系统层级的全栈优化 。
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