内存裸片是构成内存条的基本单元，指未经封装的微小内存芯片，包含用于存储数据的实际电路 。在DRAM中通常采用1T1C结构，即由一个电容和一个晶体管组成一个基本存储单元 。
其存储密度随着制程进步而提升 。DRAM于1966年被发明，1969年首颗芯片问世，容量为1KB，现代单颗裸片容量可达16Gb以上 。在HBM等先进内存中，多个DRAM裸片通过硅通孔技术垂直堆叠，与基础裸片封装在一起，以实现高带宽 。制造商包括三星、美光、海力士等，长鑫存储等中国厂商也已实现量产 。
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